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IC660BBD022

Marca: GE Fanuc
Número do Pedido: IC660BBD022
Tipo: Módulo de I/O Genius
País: USA
Estoque baixo: 100 restante

Descrição

Caret Down

Visão Geral

  • Modelo: IC660BBD022
  • Tipo: Bloco Fonte I/O
  • Circuitos: 16 circuitos I/O (configuráveis como entrada/saída)
  • Marca: GE Fanuc
  • Série: Genius I/O

Especificações Elétricas

  • Tensão de Sinal de Entrada: 24/48 VDC
  • Tensão de Operação: 18-30 VDC
  • Tempo de Processamento de Entrada: 1,7 ms (mais filtro configurável)
  • Corrente de Saída: 2 Amperes por circuito
  • Corrente Máxima de Inrush: 10 Amperes por até 10 ms
  • Atraso de Ligação da Saída: 1 ms
  • Tempo de Resposta da Saída: 1,0 ms
  • Diagnóstico de Entrada: Fio aberto, Sobreaquecimento, Chave com falha
  • Diagnóstico de Saída: Curto-circuito, Sobrecarga, Sem carga, Chave com falha, Sobreaquecimento

Desempenho e Recursos

  • Frequência Máxima de Comutação: Uma vez por segundo
  • Dissipação de Calor: 68,8 Watts (a 2 Amperes)
  • Protocolo de Comunicação: Protocolo Genius
  • Isolamento Bloco a Bloco: 1500V (por 1 minuto)

Dimensões Físicas

  • Tamanho: 8,83" x 4,42" x 3,56"
  • Peso: 1,75 lbs (aprox.)

Condições Ambientais

  • Temperatura de Operação: 0 a 60°C
  • Temperatura de Armazenamento: -40°C a 100°C
  • Umidade: 5-95% sem condensação

Compatibilidade

  • Montagem Eletrônica Compatível: IC660EBD021
  • Montagem da Base Terminal Compatível: IC660TSD021

Benefícios do Produto

Caret Down
  • Produtos 100% genuínos em estoque com entrega rápida. Saiba mais...
  • Política de devolução de 30 dias para garantia de qualidade. Saiba mais...
  • Garantia de 12 meses para sua tranquilidade. Saiba mais...

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