3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002

Visão Geral

O Módulo IGCT ABB 3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002 é um semicondutor de potência de alto desempenho projetado para aplicações industriais exigentes. Ele integra dois IGBTs e um diodo em um pacote compacto, garantindo desempenho eficiente e confiável para tarefas de gerenciamento de alta potência.

Principais Características

• Classificação de Tensão: Até 650 V
• Classificação de Corrente: Até 2645 A
• Frequência de Comutação: Até 1 kHz
• Método de Resfriamento: Resfriamento por ar forçado ou líquido
• Resistência Térmica: 0,015 K/W
• Faixa de Temperatura de Operação: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)

Desempenho Elétrico

• Componentes Integrados: Dois IGBTs e um diodo
• Capacidade de Comutação: Operação em alta frequência até 1 kHz
• Gerenciamento Térmico: Dissipação eficiente de calor via resfriamento por ar forçado ou líquido

Características Mecânicas

• Tipo de Pacote: Pacote integrado compacto
• Resistência Térmica (Junção para Caixa): 0,015 K/W
• Opções de Montagem: Adequado para várias configurações de montagem, garantindo integração flexível

Limites Ambientais e Operacionais

• Faixa de Temperatura de Operação: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)
• Faixa de Temperatura de Armazenamento: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)

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