3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002

Présentation

Le Module IGCT ABB 3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002 est un semi-conducteur de puissance haute performance conçu pour des applications industrielles exigeantes. Il intègre deux IGBT et une diode dans un boîtier compact, garantissant une performance efficace et fiable pour les tâches de gestion de haute puissance.

Caractéristiques principales

• Tension nominale : Jusqu'à 650 V
• Courant nominal : Jusqu'à 2645 A
• Fréquence de commutation : Jusqu'à 1 kHz
• Méthode de refroidissement : Refroidissement par air forcé ou liquide
• Résistance thermique : 0,015 K/W
• Plage de température de fonctionnement : -40°C à +150°C (-40°F à +302°F)

Performance électrique

• Composants intégrés : Deux IGBT et une diode
• Capacité de commutation : Fonctionnement haute fréquence jusqu'à 1 kHz
• Gestion thermique : Dissipation efficace de la chaleur via refroidissement par air forcé ou liquide

Caractéristiques mécaniques

• Type de boîtier : Boîtier intégré compact
• Résistance thermique (jonction vers boîtier) : 0,015 K/W
• Options de montage : Convient à diverses configurations de montage, assurant une intégration flexible

Limites environnementales et opérationnelles

• Plage de température de fonctionnement : -40°C à +150°C (-40°F à +302°F)
• Plage de température de stockage : -40°C à +150°C (-40°F à +302°F)

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