Collection: IGBT/IGCT

IGBT (Transistor Bipolaire à Grille Isolée) et IGCT (Thyristor à Grille Intégrée Commutée) sont des dispositifs semi-conducteurs de puissance critiques dans l'automatisation industrielle moderne. L'IGBT combine les avantages du MOSFET (facilité de pilotage, commutation rapide) et du BJT (haute tension, gestion de courant élevé) pour offrir des performances supérieures. L'IGCT, quant à lui, fournit une capacité de traitement de puissance élevée, combinant les caractéristiques des thyristors et des MOSFET pour une gestion efficace de la tension et du courant avec des caractéristiques de pilotage faciles. Les deux dispositifs sont essentiels pour améliorer le contrôle de la puissance et l'efficacité dans les applications industrielles.