3BHE014105R0001 5SHY3545L0020 5SXE080166

ภาพรวม

โมดูล ABB IGCT (3BHE014105R0001, 5SHY3545L0020, 5SXE080166) เป็นอุปกรณ์เซมิคอนดักเตอร์ประสิทธิภาพสูงที่ออกแบบมาสำหรับระบบแปลงพลังงานและควบคุม รวมคุณสมบัติของเกตเทิร์นออฟไทริสเตอร์ (GTO) และสวิตช์เกตคอมมิวเตตเต็ดเทิร์นออฟ เพื่อให้การทำงานมีประสิทธิภาพในงานอุตสาหกรรม

ข้อมูลทางเทคนิค

• หมายเลขชิ้นส่วน: 3BHE014105R0001, 5SHY3545L0020, 5SXE080166
• ประเภท: IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)
• แรงดันไฟฟ้า: 4.5 kV
• กระแสไฟฟ้า: 3.5 kA
• ความถี่สวิตชิ่ง: สูงสุด 1 kHz
• วิธีระบายความร้อน: ระบายความร้อนด้วยอากาศบังคับหรือของเหลว
• ความต้านทานความร้อน (จากจุดต่อถึงตัวเครื่อง): 0.015 K/W
• ช่วงอุณหภูมิการทำงาน: -40°C ถึง +150°C (-40°F ถึง +302°F)