1
/
из
3
IC660BRD024
Бренд: GE Fanuc
Номер заказа:
IC660BRD024
Тип: Блок вывода источника Genius GMR
Страна:
USA
Низкий запас: осталось 100
Описание
Описание
Обзор
- Модель: IC660BRD024
- Бренд: GE Fanuc
- Серия: Genius I/O
- Тип: Genius GMR Источник Выходного Блока
Ключевые характеристики
- Рабочее напряжение: 18 до 56 VDC
- Рабочий ток: 0.5 до 1.0 A
- Максимальный пусковой ток: 10.0 A
- Ток утечки при выключенном выходе: 2.0 mA
- Выходные точки: 32
- Встроенные блокирующие диоды: Да
- Ток утечки: Макс 20 µA
Совместимость с системой
- Совместимые выходные группы: Группа выходов T, Группа выходов H
- Применение: Подсистема выходов модульного резервирования Genius
Конфигурация и интеграция
- Ручной монитор Genius: Используется для конфигурации
- Установка шины: Должна соответствовать конфигурации GMR
-
Конфигурация нагрузки:
- Группа выходов T: Два блока IC660BRD024 параллельно с нагрузкой
- Группа выходов H: Два блока IC660BRD024 параллельно с одной стороной нагрузки, блоки поглощения с другой стороны
Защита и обнаружение неисправностей
- Встроенные блокирующие диоды: Предотвращают обратный ток и неисправности
- Обратные резисторы: Для обнаружения неисправностей и защиты
Требования к питанию
- Рабочий ток нагрузки: 0.5 до 1.0 Ампер на выход
- Максимальный пусковой ток: 10.0 Ампер
Физические размеры и особенности
- Компактный дизайн: 32-точечный ввод/вывод с интегрированной защитой и диагностикой
Преимущества продукта
Преимущества продукта
- 100% оригинальные товары в наличии с быстрой доставкой. Узнать больше...
- 30-дневная политика возврата для обеспечения качества. Узнать больше...
- 12-месячная гарантия для вашего спокойствия. Узнать больше...
Отзывы
Отзывы
Поделитесь больше



Есть вопрос?
Уведомление по электронной почте, когда этот продукт станет доступен
Рекомендуемые продукты
Делитесь информацией о вашем бренде с вашими клиентами.Недавно просмотренный товар
Делитесь информацией о вашем бренде с вашими клиентами.Подпишитесь на нашу рассылку
Будьте первыми, кто узнает о новых коллекциях и эксклюзивных предложениях.