3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002

Resumen

El Módulo IGCT ABB 3BHE009681R0101 3BHB012961R0001 5SHX2645L0002 es un semiconductor de potencia de alto rendimiento diseñado para aplicaciones industriales exigentes. Integra dos IGBTs y un diodo en un paquete compacto, garantizando un rendimiento eficiente y fiable para tareas de gestión de alta potencia.

Características clave

• Clasificación de voltaje: Hasta 650 V
• Clasificación de corriente: Hasta 2645 A
• Frecuencia de conmutación: Hasta 1 kHz
• Método de enfriamiento: Enfriamiento por aire forzado o líquido
• Resistencia térmica: 0.015 K/W
• Rango de temperatura de operación: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)

Rendimiento eléctrico

• Componentes integrados: Dos IGBTs y un diodo
• Capacidad de conmutación: Operación de alta frecuencia hasta 1 kHz
• Gestión térmica: Disipación eficiente de calor mediante enfriamiento por aire forzado o líquido

Características mecánicas

• Tipo de paquete: Paquete integrado compacto
• Resistencia térmica (unión a carcasa): 0.015 K/W
• Opciones de montaje: Adecuado para varias configuraciones de montaje, asegurando una integración flexible

Límites ambientales y operativos

• Rango de temperatura de operación: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)
• Rango de temperatura de almacenamiento: -40°C a +150°C (-40°F a +302°F)

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