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IC660BBD022

Anbieter: GE Fanuc
Artikelnummer: IC660BBD022
Typ: Genius Block I/O-Modul
Land: USA
Low stock: 100 left

Beschreibung

Caret Down

Übersicht

  • Modell: IC660BBD022
  • Typ: Source Block I/O
  • Schaltkreise: 16 I/O-Schaltkreise (konfigurierbar als Ein-/Ausgang)
  • Marke: GE Fanuc
  • Serie: Genius I/O

Elektrische Spezifikationen

  • Eingangssignalspannung: 24/48 VDC
  • Betriebsspannung: 18-30 VDC
  • Eingangsverarbeitungszeit: 1,7 ms (plus konfigurierbarer Filter)
  • Ausgangsstrom: 2 Ampere pro Schaltkreis
  • Maximaler Einschaltstrom: 10 Ampere bis zu 10 ms
  • Ausgangs-Einschaltverzögerung: 1 ms
  • Ausgangsreaktionszeit: 1,0 ms
  • Eingangsdiagnose: Unterbrochene Leitung, Übertemperatur, Defekter Schalter
  • Ausgangsdiagnose: Kurzschluss, Überlast, Leerlauf, Defekter Schalter, Übertemperatur

Leistung & Merkmale

  • Maximale Schaltfrequenz: Einmal pro Sekunde
  • Wärmeabgabe: 68,8 Watt (bei 2 Ampere)
  • Kommunikationsprotokoll: Genius-Protokoll
  • Block-zu-Block-Isolation: 1500 V (für 1 Minute)

Physikalische Abmessungen

  • Größe: 8,83" x 4,42" x 3,56"
  • Gewicht: ca. 1,75 lbs

Umgebungsbedingungen

  • Betriebstemperatur: 0 bis 60 °C
  • Lagerungstemperatur: -40 °C bis 100 °C
  • Feuchtigkeit: 5-95 % nicht kondensierend

Kompatibilität

  • Kompatible Elektronikbaugruppe: IC660EBD021
  • Kompatible Anschlussbasis-Baugruppe: IC660TSD021

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