Коллекция: IGBT/IGCT
IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) и IGCT (интегрированный тиристор с управляемым затвором) являются ключевыми силовыми полупроводниковыми устройствами в современной промышленной автоматизации. IGBT сочетает преимущества MOSFET (простота управления, быстрая коммутация) и BJT (высокое напряжение, высокая токовая нагрузка), обеспечивая превосходную производительность. IGCT, с другой стороны, обеспечивает высокую мощность обработки, объединяя характеристики тиристоров и MOSFET для эффективного управления напряжением и током с простыми характеристиками управления. Оба устройства необходимы для повышения контроля мощности и эффективности в промышленных приложениях.
